خزش به سمت بال در رشد تک بلور از محلول ابر اشباع و راه پیشگیری آن

author

  • شوشتریان, محمدعلی دانشگاه شیراز
Abstract:

Single crys tals have been grown rrom ancient Egypt. Crys tal growth Slall ... u ... I •• ~ • • . 1 " - •• v •• , 1940 until now. Four melt.odS have been used to prepare single crys tal s: gr~-rr-onrsOlu tiOn, melt, vapour, and solid. Every metho~its own advantage, disadva nlagea nd problems. One of the problems in growth from solution is creeping up. Creeping up is undesirable growth or thin layer on the wall of crystal growth bath. Sometimes this layer grows very rapid and so fills the bath, and prevents growth . In this paper, these subjects are considered l. Why does creeping up occure? 2. What parameter affect on it? 3. What in the best way ror its prevention? Experi ments show that creeping up is arrected by wetting ang le between solution a nd bath wall, viscosity of solution, agitation, additives, and shape of bath.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

رشد سریع بلور KDP به روش انتقال محلول اشباع شده در دما وحالت فوق اشباع ثابت

بلورهای KDP به روش انتقال محلول اشباع شده در دما وحالت فوق اشباع ثابت با سرعت بالا

full text

رشد تک بلور پیزوالکتریک KDP

The piezoelectric crystals conven mechanical energy inlo clcclrical energy and vice versa. This propeny has many applications in science and technology. In this paper we reporl the growth of KDP single crystal OUI of a super-saturated KDP liquid by controling the temperature and the pH. We studied the effect of the variation of the pH and temperature on the KDP single crystal. We found th...

full text

رشد بلور KDP در محلول آبی با افزودنی EDTA

Addition of EDTA to the KDP solution is an effective method to increase the stability zone and the crystal growth rate. EDTA neutralizes the chemical activity of metal ions impurity such as Al+3, Fe+3, Cr+3 (that exist in the chemical materials as impurity). Effect of Al+3, Fe+3, Cr+3 ions on the KDP crystal is investigated. Growth method was based on the “point seed” method following spontaneo...

full text

رشد تک بلور tgs-niso4 از محلول به روش sr و بررسی اثر افزودنی در خواص آن

بلور تری گلایسین سولفات ((nh2ch2cooh)3.h2so4, tgs) از جمله مواد فروالکتریک است. کاربرد tgs در آشکارسازهای پیروالکتریک توجه بسیاری از محققان را برای رشد این بلور به خود جلب کرده است. روش های رشد مختلف و افزودنی های متنوعی، برای بهبود خواص این ماده به کار برده شده است. در این پایان نامه، روش های رشد (به طور مفصل روش رشد sr) و برخی از روش های مشخصه یابی، خاصیت فروالکتریسیته و ویژگی های بلور tgs د...

رویکرد به سمت مراقبت از راه دور در بیماران دیابتی

  رویکرد به سمت مراقبت از راه دور در بیماران دیابتی     لادن سلطانزاده [1] ، آرزو طاهری [2] ، دکتر محمد ربیعی [3] *     تاریخ دریافت: 08/03/1392 تاریخ پذیرش 18/05/1392     چکیده   پیش زمینه و هدف: نیاز به مراقبت مستمر پزشکی در برخی از بیماران، علت بسیاری از موارد بستری طولانی مدت در بیمارستان می‌باشد، در حالی که باید فضای بیمارستان برای بیمارانی که نیاز به مراقبت‌های فوری و ویژه پزشکی دارند، در...

full text

رشد تک بلور tgs از محلول به روش sr و بررسی اثر افزودنی nacl در خواص آن

بلور تری گلایسین سولفات ((nh2ch2cooh)3.h2so4, tgs) از جمله مواد فروالکتریک است. کاربرد این بلور در آشکارسازهای پیروالکتریک توجه بسیاری از محققان را برای رشد آن به خود جلب کرده است. روش های رشد مختلف و افزودنی های متنوعی، برای بهبود خواص این ماده به کار برده شده است. در این پایان نامه، روش های رشد (به طور مفصل روش رشد sr) و برخی از روش های مشخصه یابی؛ خاصیت فروالکتریسیته و ویژگی های بلور tgs در...

15 صفحه اول

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 3  issue 1

pages  57- 64

publication date 1995-04

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Keywords

No Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023